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会社ニュース SKハイニックスは1cDRAMの生産に新しい光電阻を使用します

SKハイニックスは1cDRAMの生産に新しい光電阻を使用します

2024-12-30

DRAMの小型化が進むにつれて,SKハイニックスやサムスン電子などの企業は新しい材料の開発と応用に焦点を当てています.
TheElecによると,SKハイニックスは Inpriaの次世代の金属酸化物光抵抗 (MOR) を 6 代目 (1c プロセス,約 10nm) の DRAM の生産に使用する予定です.DRAMの大量生産プロセスに MOR が適用されたのは初めてです.

SKハイニクスの大量生産の 1c DRAMには 5 つの極紫外線 (EUV) 層があり,そのうちの1 つは MOR を使用して描かれる."SKハイニックスだけでなくサムスン・エレクトロニクスもこのような非有機PR材料を追求します"と付け加えた.

Inpriaは日本の化学会社JSRの子会社で,無機光抵抗の分野でリーダーです.MORは,現在先進チップリトグラフィーで使用されている次世代の化学的に増幅された光抵抗 (CAR) と考えられています..

さらに,同社は2022年からSKハイニックスとMOR研究に取り組んでいます.SKハイニックスは以前,Sn (ベース) オキシド光電阻の使用が次世代のDRAMの性能を向上させコストを削減するのに役立つと述べた..

TheElecのレポートでは,Samsung Electronicsも1c DRAMに MOR を適用することを検討しており,現在Samsung Electronicsは1c DRAMに6~7つのEUV層を適用していることも指摘されています.マイクロンは1層しか適用しない.

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